Mémoires Master Physique & applications

Option :Energie Solaire, Matériaux et Systèmes (SOLMATS)

  1. Détermination des paramètres de recombinaison d’une photopile monofaciale au silicium en couche mince sur support plastique en régime statique (12 Décembre 2009, UCAD),Momar DIAW

  1. Etude en régime statique de l’effet du champ magnétique sur le rendement d’une photopile monofaciale au  silicium monocristallin  par le modèle de l’extension de la zone de charge d’espace(12 Décembre 2009, UCAD), Fassa TOURE

  1. Détermination des paramètres  de recombinaison d’une photopile bifaciale de type p+nn+ en régime statique sous éclairement multispectral constant (19 Décembre 2009, UCAD),Ndeye THIAM

  1. Etude en régime statique d’une photopile bifaciale au silicium à jonction verticale sous un éclairement monochromatique (12 Décembre 2009, UCAD), Serigne Cheikh NDIAYE

  1. Résistances série (Rs)  et shunt (Rsh) dans les photopiles au silicium : Approche macroscopique et phénoménologique en régime statique (11 Décembre 2010, UCAD), Idrissa GAYE.

  1. Etude bibliographique sur la photopile au silicium  en régime de fonctionnement dynamique fréquentiel : détermination des paramètres électrique. (Mars 2011) Saliou SOW

  1. Détermination de la capacité de la zone de charge d’espace par la méthode Dynamique dans une photopile au silicium. (Mars 2011) Samba FAYE

  1. Photopile bifaciale au silicium en régime dynamique fréquentiel sous éclairement monochromatique: Effets de la fréquence de modulation et de la longueur d’onde. (Mai 2011), Mohamed LemineOuld Cheikh.

  1. Différentes techniques de détermination de la capacité de la zone de charge d’espace en régime statique dans une photopile au silicium. (Aout 2011), BA SAMBA KHALIDOU(2011)

  1. Détermination Des Parametres De Recombinaison D’une Photopile Bifaciale De Type N+Pp+ En Régime Statique Sous Eclairement Multispectral Constant. Ousmane Diallo
  1. Régime Transitoire Dans La Photopile Au Silicium : Détermination des paramètres de recombinaison Et Electriques..M. Ely Manel Sarr(2011)

  1. Technique De Détermination Des Paramètres De Recombinaison D’une Photopile Bifaciale De Type N+Pp+ En Regime Statique Sous Eclairement Multispectral Constant..Marcel Sitor Diouf(2011)

  1. Détermination Des Parametres Electriques D’une Photopile A Jonction Verticale Sous Eclairement Monochromatique En Modulation De Frequence A Partir De La Caracteristique I-V. M. Gökhan Şahin(2011)

  1. Effet de l’angle d’incidence d’un éclairement monochromatique constant sur les paramètres électriques d’une photopile a jonction verticale  en régime dynamique fréquentiel  a une dimension. Moustapha  Sané(2011).

  1. Synthèse Bibliographique Caractéristiques I-V  De La Photopile En Régime Dynamique Fréquentiel : Etude Des  Résistances Shunt Et Série. Papa Djibril Ndao(2011).

  1. Etude D’une Photopile A Jonction Verticale Parallele En Modulation De Frequence Sous Eclairement Monochromatique Modele A Une Dimension. Diallo Abdoulaye Korka(2011)..

  1. Etude D’une Photopile Au Silicium A Jonction Verticale Parallele Sous Eclairement Monochromatique En Regime Statique  Dieng Alioune(2011)..

  1. Etude  D’une  Photopile  A  Jonction  Verticale  En Regime  Statique  Sous  Eclairement  Polychromatique  Et  Sous Champ Magnetique. Moussa Ibra Ngom(2011).

  1. Photopile Au Silicium A Jonction Vertical Parallèle Sous Concentration Lumière Polychromatique En Modulation De Fréquence. Mamadou Lamarana Ba(2012).

  1. Influence D’un Champ Electrique Exterieur Sur Les Porteurs De Charge Et Les Parametres Electriques D’une Photopile Au Silicium Polycristallin. BALDE Fatoumata(2012).

  1. Etude de la jonction verticale série sous éclairement monochromatique et sous polarisation électrique. BEYE Bacar(2012).

  1. Extension De La Zone De Charge D’espace Dans L’émetteur D’une Photopile Au Silicium A Jonction Horizontale Et Monofaciale Sous Eclairement Monochromatique, Par La Méthode Du Théorème De Gauss. DIENG Massamba(2012).

  1. Etude En Régime Statique D’une Photopile A Jonction Verticale Parallèle Sous Eclairement Polychromatique: Effet Du Niveau D’éclairement. DIONE Daba(2012)..

  1. Etude D’une Photopile Bifaciale En Régime Statique Sous Eclairement Polychromatique  Et Sous L’effet Du Champ Magnétique  Ou Du Taux De Dopage. FAYE Khady(2012).

  1. Etude d’une photopile a jonction verticale : effet de la concentration de la lumière sous éclairement polychromatique   en modulation de fréquence. GAYE Mahmud(2012)..

  1. Effet de l’angle d’incidence d’un éclairement monochromatique sur les paramètres électriquesd’une photopile Au SILICIUM à jonction verticale parallèle en régime statique sous champ magnétique : étude à une dimension. GOUDIABY Ernest Grégoire(2012)..

  1. Etude d’une photopile au silicium à jonction vertical serie sous éclairement monochromatique en modulation de fréquence. GUEYE Serigne Darou(2012)..

  1. Effet de l’irradiation sur une photopile a jonction verticale parallèle sous éclairement polychromatique en  régime statique. MANE Richard(2012)..

  1. Etude  De  La  Photopile  A  Jonction  Verticale  Sous Polarisation  Electrique: Determination  De  La  Resistance Serie  Et  Shunt. MBALLO Oulimata(2012).

  1. Etude De La Photopile Au Silicium A Jonction Verticale Serie En Regime  Statique, Sous Eclairement Monochromatique. SENE Mouhamadou Moustapha Bachir(2012)..

  1. Photopile a jonction vertical serie sous éclairment polychromatique : effet  du dopage NGOM Papa(2012).

  1. Extension de la zone de charge d’espace dans l’émetteur d’une photopile au silicium à jonction horizontale et monofaçiale sous éclairement polychromatique constant et sous champ magnétique, par la méthode du théorème de Gauss. Mohamed El Bachir SECK(2013)

  2. Photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous éclairement polychromatique et mise à l’effet du champs magnétique (2013), BOUMENOU Christian Kameni.

  3. Etude en régime dynamique fréquentiel d’une photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous éclairement monochromatique et sous irradiation (2013) IBRAHIMA TALL

  4. Photopile bifaciale à une dimension éclairée par une lumière monochromatique en modulation de fréquence et sous l’effet de l’irradiation.(2013) MOUHAMADOU MOUSLIOU DIALLO

  5. Etude d’une photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous éclairement polychromatique et en modulation de fréquence. (2013) Fatima BA,

  6. Influence de la température sur la capacité d’une photopile monofaciale au silicium en régime statique. MANSOR SECK

  7. Etude d’une photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous champ électromagnétique et sous illumination monochromatique en modulation de fréquence.(2013) Mame Khady KANE

  8. Détermination des paramètres électriques d’une photopile au silicium à jonction verticale parallèle sous éclairement monochromatique constant.(2013) EL HADJI MAMADY FOFANA

  9. Détermination de la valeur de SFCC et SFCO pour une photopile à jonction horizontal sous éclairement polychromatique constant à une dimension. Séraphin René DIANDY

  10. Expérmentation : Mesure de caracteristique I-V, sous éclairement, variation d’angle d’incidence, variation de la puissance incidente, détermination de point de puissance maximum, détermination de paramètres phénoménologiques (Sfcc, Sfco, L, Sb), détermination de paramètres _électriques (Rs, Rsh, Cz) Bakary dit Dembo SYLLA (bakary.d.d.sylla@aims-senegal.org)

  11. Etude en Régime Dynamique Fréquentiel d’une Photopile au Silicium à Jonction Verticale Parallèle sous Eclairement Polychromatique et sous Irradiation. Marc NIYONGENDAKO (marc.niyongendako@aims-senegal.org)

  12. Projet de Dimensionnement Optimal d’une installation Photovoltaîque pour deux Appartements de Résidence des Etudiants de AIMS-Sénégal. Komi  KOUGBLENOU

  13. Projet de Dimensionnement Solaire du centre de AIMS-Sénégal. Phil Jacques ALPHONSE(2014)

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